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當前位置: 首頁 » 貼片晶振 » 3225晶振
KDS晶振,貼片晶振,DSB321SLB晶振

KDS晶振,貼片晶振,DSB321SLB晶振

頻率:9.6~40MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

溫補晶振(TCXO),本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSA321SF晶振,DSB321SF晶振,3225溫補晶振

KDS晶振,DSA321SF晶振,DSB321SF晶振,3225溫補晶振

頻率:9.6~40MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

3225mm體積的溫補晶振(TCXO),該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB321SDM晶振,TCXO晶振

KDS晶振,DSB321SDM晶振,TCXO晶振

頻率:9.6~52MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

溫補晶振(TCXO),產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB321SCM晶振,溫度補償晶振

KDS晶振,DSB321SCM晶振,溫度補償晶振

頻率:9.6~52MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

溫補晶振(TCXO),產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

CTS晶振,SMD晶振,403晶振,403C11A32M00000晶振

CTS晶振,SMD晶振,403晶振,403C11A32M00000晶振

頻率:10MHZ~60MH...
尺寸:3.2*2.5mm pdf 晶振技術
參數資料
  晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
KDS晶振,DSO321SW晶振,貼片有源晶振

KDS晶振,DSO321SW晶振,貼片有源晶振

頻率:3.25~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO321SR晶振,32.768K有源晶振

KDS晶振,DSO321SR晶振,32.768K有源晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO321SN晶振,有源晶體振蕩器

KDS晶振,DSO321SN晶振,有源晶體振蕩器

頻率:1.5625~100...
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO321SH晶振,有源晶振

頻率:3.5~52MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225貼片晶振

KDS晶振,DSO321SBM/SBN/SVN晶振,3225貼片晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO223SK晶振,DSO323SK晶振,貼片晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO223SD晶振,DSO323SD晶振,有源晶振

頻率:13.5~167MH...
尺寸:2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

KDS晶振,DSX321SL晶振,3225無源晶振

KDS晶振,DSX321SL晶振,3225無源晶振

頻率:13~60MHz
尺寸:3.2×2.5mm pdf 晶振技術
參數資料

高精度晶片的拋光技術:是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

IDT晶振,XLL晶振,有源貼片晶振

IDT晶振,XLL晶振,有源貼片晶振

頻率:0.750~1350...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.750~250M...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.75~250MH...
尺寸:5.0×3.2mm,5.0... pdf 晶振技術
參數資料

有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內

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