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美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器

頻率：125MHZ

尺寸：7.00mmx5.00mm

美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器，尺寸為7.00mmx5.00mm，頻率125MHZ，輸出邏輯LVDS，XO時(shí)鐘振蕩器（標(biāo)準(zhǔn)），電壓為3.3V，腳位6-SMD，LVDS輸出晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，差分晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振，超聲波差分晶振，網(wǎng)絡(luò)專用差分晶振，測(cè)試測(cè)量專用差分晶振，低功耗差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，具有低抖動(dòng)低電壓的特點(diǎn)，很適合用于超聲波，SDH，網(wǎng)絡(luò)，SD/HD視頻，測(cè)試和測(cè)量，時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.

Si530/531 XO利用天空解決方案的先進(jìn)DSPLL®電路提供一個(gè)高頻低抖動(dòng)時(shí)鐘。Si530/531 OSC晶振可提供從10到945MHz的任意速率輸出頻率，并選擇頻率到1400MHz。與傳統(tǒng)的XO不同，每個(gè)輸出頻率都需要一個(gè)不同的晶體，而Si530/531使用一個(gè)固定的晶體來(lái)提供一個(gè)大范圍的輸出頻率。這種基于集成電路的方法允許晶體諧振器提供特殊的頻率穩(wěn)定性和可靠性。美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器.


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Abracon-2

LH-1

美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器，尺寸為7.00mmx5.00mm，頻率125MHZ，輸出邏輯LVDS，XO時(shí)鐘振蕩器（標(biāo)準(zhǔn)），電壓為3.3V，腳位6-SMD，LVDS輸出晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，差分晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振，超聲波差分晶振，網(wǎng)絡(luò)專用差分晶振，測(cè)試測(cè)量專用差分晶振，低功耗差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，具有低抖動(dòng)低電壓的特點(diǎn)，很適合用于超聲波，SDH，網(wǎng)絡(luò)，SD/HD視頻，測(cè)試和測(cè)量，時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.

Si530/531 XO利用天空解決方案的先進(jìn)DSPLL®電路提供一個(gè)高頻低抖動(dòng)時(shí)鐘。Si530/531 OSC晶振可提供從10到945MHz的任意速率輸出頻率，并選擇頻率到1400MHz。與傳統(tǒng)的XO不同，每個(gè)輸出頻率都需要一個(gè)不同的晶體，而Si530/531使用一個(gè)固定的晶體來(lái)提供一個(gè)大范圍的輸出頻率。這種基于集成電路的方法允許晶體諧振器提供特殊的頻率穩(wěn)定性和可靠性。美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器.LH-2

美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器      參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS 		—
—
—
— 		111
99
90
81 		121
108
98
88 		mA
Tristate mode — 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD — — V
VIL — — 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 — 85 ºC
Table 2. CLK± Output Frequency Characteristics
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1,2 fO LVPECL/LVDS/CML 10 — 945 MHz
CMOS 10 — 160 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping 		— ±1.5 — ppm
Temperature Stability1,3 –7
–20
–50 		  
  
— 		+7
+20
+50 		ppm
Aging fa Frequency drift over first year — — ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life 		— — ±10 ppm
Table 3. CLK± Output Levels and Symmetry
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO mid-level V DD – 1.42 — V DD – 1.25 V
VOD swing (diff) 1.1 — 1.9 VPP
VSE swing (single-ended) 0.55 — 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
CML Output Option2 VO 2.5/3.3 V option mid-level     V DD – 1.30     V
1.8 V option mid-level     V DD – 0.36     V
VOD 2.5/3.3 V option swing (diff) 1.10 1.50 1.90 VPP
1.8 V option swing (diff) 0.35 0.425 0.50 VPP
CMOS Output Option3 V OH I OH= 32 mA 0.8 x V DD     V DD V
VOL I OL= 32 mA         0.4 V
Rise/Fall time (20/80%) tR,t F LVPECL/LVDS/CML         350 ps
CMOS with CL= 15 pF     1     ns
Symmetry (duty cycle) SYM LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS: 		  V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2 		45     55 %

LH-3Abracon-1

美國(guó)Silicon晶振 531BC125M000DG 6G以太網(wǎng)晶振 Si531差分振蕩器     尺寸圖Si530 Si531

進(jìn)口有源晶振產(chǎn)品特性：

可用于任何速率輸出

頻率從10兆赫到945兆赫

并選擇1.4 GHz的頻率

具有卓越性能的第三代DSPLL®

抖動(dòng)性能

頻率穩(wěn)定性比

SAW振蕩器

內(nèi)部固定晶體頻率

確保高可靠性和低成本

可用的CMOS、LVPECL、LVDS和CML輸出

3.3、2.5和1.8 V電源選項(xiàng)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5 x 7毫米

包裝和引腳

無(wú)鉛/符合RoHSSi530 Si531 1 Si530 Si531 2

更多相關(guān)Silicon晶振型號(hào)

Manufacturer Part Number原廠代碼 晶振廠家 Series型號(hào) Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon Labs Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531FC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531FC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
536EB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536BB125M000DG Silicon Labs Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
531AC622M080DG Silicon Labs Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Silicon Labs Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
510ABA000149BAG Silicon Labs Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAG Silicon Labs Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
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