頻率:2.375~60MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
EPSON晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振,石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業,生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;
2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.
愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的進口晶振產品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比出色的產品.最適用于HDD, SSD, USB數碼產品,播放器、數碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
型號 |
SG-211SDE晶振 |
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輸出頻率范圍 |
2.375~60MHZ |
|
電源電壓(Vcc) |
+2.2~2.7V |
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消耗電流 |
+90mA max. |
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驅動輸出 |
CMOS |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
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輸出負載 |
10kΩ//15pF |
|
頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
愛普生有源石英貼片振蕩器型號列表:
愛普生有源石英貼片振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-211SCE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 90 °C
+/-25 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
10.000250 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
10.000400 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
19.660000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-15 ppm
≤ 4.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
26.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 5.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
![]()
|
![]()
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210198 | SG-211SCE | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 90 °C | +/-25 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210200 | SG-211SCE | 10.000250 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210201 | SG-211SCE | 10.000400 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210202 | SG-211SCE | 19.660000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-15 ppm | ≤ 4.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310003 | SG-211SDE | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-20 ppm | ≤ 2.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310004 | SG-211SDE | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310005 | SG-211SDE | 37.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310006 | SG-211SDE | 54.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 5.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % |
電處理:將電源連接到有源石英晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度。愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
有源晶振的負載電容與阻抗:負載電容與阻抗貼片石英晶振設置一個規定的負載阻抗值。當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形。特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略。
機械處理:當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象。不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點。
愛普生晶振環境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統的環境管理工具.我們將確保適當的人力資源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環境管理以及行為改進CMOS驅動2520晶振的目標和指標. 環境行為評價:評價我們運行以及員工的環境行為表現,確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
加強環境意識教育,提高全員環境意識,充分調動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),,石英晶振,有源晶振環保型原材料,減少普通有源晶振生產過程中的廢棄物產生量,努力向相關方施加環境影響. 我們的活動、產品和服務首先要遵守和符合有關環境的法律和其他環境要求.努力探索生產中所使用的有毒有害物質的替代,本著污染預防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
愛普生晶振集團不斷改進設計,優化工藝,調整工廠布局,采取相應措施,減少各種污染環境的因素,盡可能地節省資源和能源,積極保護廠區和周圍地區的環境,在本公司石英晶振,2520mm振蕩器,壓電石英晶體、有源晶體的生產與經營過程中充分考慮對環境的影響,為人類的健康生存和持續發展作出貢獻.
深圳市火運電子有限公司
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