頻率：8.0-15.0MHZ
尺寸：37.0*37.0mm
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..
維管晶振,貼片晶振,OX-080晶振，插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,
貼片晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發(fā)及生產高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。
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Vectron晶振規(guī)格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
8.0-15.0MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C ～ +70°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。
維管晶振環(huán)保方針：
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環(huán)境.遵守國內外的有關環(huán)保法規(guī).
2.保護自然環(huán)境,充分關注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.
4為構建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少溫補晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構建循環(huán)型社會.
5.推進環(huán)保型業(yè)務,充分發(fā)揮綜合實力,推進石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務,為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環(huán)境污染.
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