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Vectron晶振,石英晶振,MV-9350A晶振

頻率:80.0-220.0MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).


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  維管晶振,貼片晶振,MV-9350A晶振3225mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.

  貼片晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。

Vectron晶振規(guī)格

單位

晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

80.0-220.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C  +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C  +70°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.dninq.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

進(jìn)口晶振,貼片晶振,MV-9350A晶振

晶振在使用過程中需要注意哪些事項(xiàng),晶振產(chǎn)品在使用過程中產(chǎn)生不良都有那些原因照成的,如果石英晶振產(chǎn)生了不良我們又該怎么處理,怎么去預(yù)防在以后的生產(chǎn)過程中確保品質(zhì)不在出問題。

大家都知道晶振其實(shí)分為很多的類別,比如陶瓷諧振器,以及石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,那么石英晶體振蕩器又稱呼為有源晶振,何為有源晶振?有源的意思就是帶有電壓功能,是只產(chǎn)品在使用過程中首先需要通過電壓起振,一般有源晶振的電壓在3.3V-5V之間。其實(shí)有源晶振在細(xì)分的情況下又能分成壓控振蕩器(VCXO)以及溫補(bǔ)晶振(TCXO)這兩者又可以合并為壓控溫補(bǔ)晶振(VC-TCXO),壓控晶振的原理簡(jiǎn)單的說就是產(chǎn)品在工作過程中有一個(gè)電壓穩(wěn)定控制功能,當(dāng)石英晶振在使用過程中遇到電壓變大或者變小的情況下,產(chǎn)品可以在自帶電壓功能的情況下把電壓控制在可接受范圍,以及控制振蕩器的PPM精度,不超出在需要的頻率內(nèi),使其能夠穩(wěn)定的給CPU提供精準(zhǔn)信號(hào),這就是壓控振蕩器的主要特點(diǎn)。那么溫補(bǔ)晶振(TCXO)又有什么特點(diǎn),溫補(bǔ)晶振簡(jiǎn)單的來說就是在工作過程中起到溫度補(bǔ)償功能,那怎么個(gè)溫度補(bǔ)償法呢?其實(shí)原理跟壓控振蕩器一樣,比如說溫補(bǔ)晶振電壓有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等幾款常用電壓。溫補(bǔ)晶振在工作過程中如果遇到了溫度變化很大的情況下,那這個(gè)時(shí)候溫度補(bǔ)償就起作用了,比如說溫補(bǔ)晶振的基本精度要求是0.5PPM,常溫要求是2ppm,那如果低溫超出的常溫的情況下,晶體的溫補(bǔ)功能就會(huì)把精度控制在一定的范圍內(nèi),使精度變化在一個(gè)要求值的范圍,穩(wěn)定在高精度要求內(nèi)給CPU提供穩(wěn)定的信號(hào)。

維管晶振環(huán)保方針:

1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.

3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.

4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于減少溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器, 壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、石英晶振,貼片晶振材料的廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).

5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)石英晶振,貼片晶振環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).

6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

維管晶振,貼片晶振,MV-9350A晶振

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LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振
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LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振,日本NDK晶振NP2016SA型號(hào)的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該晶振尺寸:2.0×1.6×0.7mm;電源電壓:+2.5V或+3.3V;低相位抖動(dòng) : Max. 100fs @156.25MHz;為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心,光模塊,DSP時(shí)鐘。差分晶振常用于高精度的時(shí)鐘應(yīng)用,如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和精密儀器等。它的優(yōu)點(diǎn)包括低相位噪聲、低抖動(dòng)和高頻率穩(wěn)定性,能夠滿足一些對(duì)時(shí)鐘信號(hào)質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號(hào),差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振,擁有LVDS,LVPECL,HCMOS 等輸出方式,我們常見的是貼片差分晶振,體積有微小型也有大體積,常規(guī)的輸出方式是 LVDS,因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法,軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。
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GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振,DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm,是2016晶振,頻率是20.000MHZ,日本進(jìn)口晶振,支持低電壓,低相位噪聲,單封裝結(jié)構(gòu),用途為手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)無線電通信等,符合 ROHS/無鉛。VC-TCXO晶振應(yīng)用:智能手機(jī)晶體、無線基站、精密儀器、GPS衛(wèi)星、汽車應(yīng)用等。日本KDS晶振,大真空有源振蕩器,有源貼片晶振,石英有源晶振,2016mm有源晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,GPS導(dǎo)航晶振,大真空2016晶振。
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聯(lián)系火運(yùn)電子
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