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SiTimeCrystal晶振,路由器晶振,SiT9103晶振

頻率：1.0~220.0MHZ

尺寸：7.0 x 5.0 mm

SiTime開發(fā)了幾代先進(jìn)的kHz石英晶體和MHz MEMS諧振器,具有最高的性能、最低的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我們還開發(fā)了一個(gè)全面的開發(fā)和仿真平臺(tái),確保所有MEMS諧振器的第一個(gè)硅成功.SiTime的MEMS諧振器不僅在我們銷售的每一種產(chǎn)品中都有,其他半導(dǎo)體公司在其SOCs中集成了SiTime的MEMS諧振器,以提供獨(dú)特的、高容量的解決方案,不需要外部時(shí)鐘.

訂購熱線：0755-29952551

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SiTimeCrystal晶振,路由器晶振,SiT9103晶振,SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時(shí)間解決方案.我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時(shí)間問題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過6.25億臺(tái)設(shè)備,占MEMS時(shí)間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶振振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.

SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個(gè)應(yīng)用程序中被超過1000個(gè)客戶使用.我們的最大容量設(shè)計(jì)是在網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)者、計(jì)算和存儲(chǔ)部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業(yè)應(yīng)用提供產(chǎn)品.SiTime于2013年進(jìn)入智能手機(jī)市場(chǎng),推出了首個(gè)移動(dòng)電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速發(fā)展.

在MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù),模擬CMOS電路設(shè)計(jì)和開發(fā),以及成本效益的裝配和測(cè)試中,SiTime晶振公司具有深厚的技術(shù)專長.這些專業(yè)技能的結(jié)合,都是在SiTime內(nèi)部進(jìn)行的,在計(jì)時(shí)行業(yè)中是獨(dú)一無二的,晶振廠家并且以指數(shù)級(jí)的速度推動(dòng)創(chuàng)新,比普通石英晶振,石英晶體的速度快.SiTime的創(chuàng)新和領(lǐng)導(dǎo)力正在給計(jì)時(shí)行業(yè)帶來革命.

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siTime晶振規(guī)格	單位	siTime貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	1.0~220.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.dninq.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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SiT9103-7050 OSC

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)SiTimeCrystal晶振,路由器晶振,SiT9103晶振
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

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SiTime晶振環(huán)保基本理念：SiTimeCrystal晶振,路由器晶振,SiT9103晶振
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于石英晶振晶體原材料減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

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