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京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：2.0*1.2mm

2012mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網,已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品

訂購熱線：0755-29952551

LH-1

京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振，普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優(yōu)勢.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發(fā)及生產高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。 LH-2

京瓷晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.dninq.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

LH-3

ST2012sSB_2.0_1.2

LH-4

所有產品的共同點

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。

3：化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作 LH-5

京瓷晶振環(huán)保理念

實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。

京瓷晶振致力于環(huán)境保護，包括預防污染。在產品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中，努力提供環(huán)保型的產品和服務。在業(yè)務活動中，努力節(jié)約資源并節(jié)省能源，致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。在積極公開有關環(huán)境的信息的同時，通過支持環(huán)保活動，廣泛地為社會作貢獻。致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用。切實運行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act），努力提高環(huán)境性能，不斷改善運用系統(tǒng)。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振 LH-6