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大河晶振,貼片晶振,FCXO-75HC晶振

頻率：100MHz

尺寸：7.0*5.0mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-29952551

LH-1

大河晶振,貼片晶振,FCXO-75HC晶振，貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。

LH-2

項目	符號	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	100MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.dninq.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

LH-3

FCXO75HC_7_5 OSC

LH-4

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值。當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據(jù)規(guī)范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。大河晶振,貼片晶振,FCXO-75HC晶振

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大河晶振環(huán)保方針：

大河晶振公司提供從材料的選定到廢棄過程中考慮環(huán)境質(zhì)量的產(chǎn)品。加強制度建設，深化環(huán)境監(jiān)管，向環(huán)境污染宣戰(zhàn)，促進經(jīng)濟與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展。

積極參與公司內(nèi)部活動和地區(qū)環(huán)境改善活動，為社會做出貢獻，實現(xiàn)公司的社會責任。實施公司內(nèi)部環(huán)境培訓和訓練，推進防污染和環(huán)保活動。遵守國內(nèi)外法律，遵守與客戶和地區(qū)的約定事項，與日常業(yè)務相融合，努力開展繼續(xù)改善環(huán)境的工作。大河晶振,貼片晶振,FCXO-75HC晶振

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