頻率：19200～60000KHZ
尺寸：2.0*1.6mm
小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.
京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振，小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求
晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
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京瓷晶振規(guī)格 |
單位 |
CT2016DB晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
19200～60000KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +105°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-30°C ～ +85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
12pF ～ ∞ |
超出標準說明,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標頻率，反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該晶振應正常后，諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率，我們可以通過以下三種方法改進：
方法1：降低產品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過石英晶體具有較低負載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價的設計。
我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請用頻率計數器來測量所述晶體，以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格，請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率，反之亦然高得多系統不能正常工作，由于輸出頻率會偏差很大。
京瓷晶振環(huán)保理念
實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。
京瓷晶振致力于環(huán)境保護，包括預防污染。在產品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中，努力提供環(huán)保型的產品和服務。在業(yè)務活動中，努力節(jié)約資源并節(jié)省能源，致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用。在積極公開有關環(huán)境的信息的同時，通過支持環(huán)保活動，廣泛地為社會作貢獻。致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用。切實運行環(huán)境管理系統PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act），努力提高環(huán)境性能，不斷改善運用系統。京瓷晶振,石英晶振,CT2016DB晶振
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