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當前位置: 首頁 » 進口晶振
IDT晶振,XUN晶振,有源晶振

IDT晶振,XUN晶振,有源晶振

頻率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XUM晶振,進口石英晶體振蕩器

IDT晶振,XUM晶振,進口石英晶體振蕩器

頻率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XUL晶振,OSC晶體振蕩器

IDT晶振,XUL晶振,OSC晶體振蕩器

頻率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器

IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.016~167M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XLP晶振,差分貼片晶振

IDT晶振,XLP晶振,差分貼片晶振

頻率:0.750~1350...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XLL晶振,有源貼片晶振

IDT晶振,XLL晶振,有源貼片晶振

頻率:0.750~1350...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.750~250M...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技術
參數資料

有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內

IDT晶振,8N4SV75晶振,有源晶振

IDT晶振,8N4SV75晶振,有源晶振

頻率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術
參數資料

有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內

IDT晶振,8N4S271晶振,有源貼片晶振

IDT晶振,8N4S271晶振,有源貼片晶振

頻率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術
參數資料

有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產品均采用了,離子刻蝕調頻技術,比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內

Golledge晶振,GRX-315晶振,3215晶振

Golledge晶振,GRX-315晶振,3215晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:3.2×1.5mm pdf 晶振技術
參數資料
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Golledge晶振,GRX-220晶振,石英晶體諧振器

Golledge晶振,GRX-220晶振,石英晶體諧振器

頻率:16~26MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Golledge晶振,GRX-210晶振,貼片石英晶振

Golledge晶振,GRX-210晶振,貼片石英晶振

頻率:26~40MHz
尺寸:1.6×1.2mm pdf 晶振技術
參數資料
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Golledge晶振,CC7A晶振,3215貼片晶振

Golledge晶振,CC7A晶振,3215貼片晶振

頻率:24~50MHz
尺寸:3.2×1.5mm pdf 晶振技術
參數資料
SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
Golledge晶振,CC6F晶振,陶瓷面晶振

Golledge晶振,CC6F晶振,陶瓷面晶振

頻率:30~250MHz
尺寸:3.5×2.2mm pdf 晶振技術
參數資料
本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,
Golledge晶振,CC6A晶振,四腳貼片晶振

Golledge晶振,CC6A晶振,四腳貼片晶振

頻率:16~70MHz
尺寸:3.5×2.2mm pdf 晶振技術
參數資料
SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
Golledge晶振,CC5V晶振,32.768K進口晶振

Golledge晶振,CC5V晶振,32.768K進口晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:4.1×1.5mm pdf 晶振技術
參數資料
32.768K產品本身外觀是多種化,體積有大有小,有二個腳SMD焊接模式,也有三個腳SMD焊接模式,一樣有四個腳焊接模式,還有時鐘模塊焊接模式,產品具有無源32.768KHZ,也有帶電壓模式的32.768KHZ晶體系列,產品應用范圍非常廣闊,比如多種電子消費類,手機應用,藍牙多功能播放器,無線通訊產品,平板電腦等多個領域
Golledge晶振,CC4V晶振,陶瓷面晶振

Golledge晶振,CC4V晶振,陶瓷面晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:5.0×1.9mm pdf 晶振技術
參數資料
本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,
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