計算ILSI晶體振蕩器的可靠性評估
  ILSI America LLC提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品，主要業(yè)務是開發(fā)和供應石英或壓電晶體產(chǎn)品，包括各種封裝類型的石英晶體振蕩器和石英晶體。ILSI的晶體振蕩器封裝包括時鐘振蕩器，MEMS振蕩器，VCXO振蕩器，TCXO振蕩器，TCVCXO振蕩器和OCXO振蕩器產(chǎn)品。

此外，ILSI晶振公司還提供陶瓷諧振器以及石英或壓電晶體濾波器。提供的所有產(chǎn)品均按照ILSI工廠控制系統(tǒng)的最高質量標準生產(chǎn).ILSI因其快速靈活的供應解決方案以及我們的變頻控制產(chǎn)品具有競爭力的價格而享有盛譽。

介紹

預計半導體元件在產(chǎn)品的整個壽命期間可靠地運行。選擇具有最高可靠性等級的設備可以限制組件故障導致現(xiàn)場產(chǎn)品故障的可能性。

零場故障令人印象深刻，但工程師希望確保零件已經(jīng)過充分的可靠性測試。衡量半導體元件可靠性的關鍵指標是平均故障間隔時間或MTBF。MTBF越高，設備的預期壽命越長，因此設備越可靠。本應用筆記介紹了ILSI MMD MEMS振蕩器的測試過程和預測MTBF的計算ILSI晶體振蕩器的可靠性評估。

加速測試

半導體元件石英晶振的預測MTBF是時間故障率（FIT）的倒數(shù)，它是在10億個工作小時后統(tǒng)計預期的故障數(shù)。測試設備10億小時顯然是不現(xiàn)實的，因此常見的方法是在升高的溫度和電壓（老化）下進行加速測試，時間更短，并推斷。

ILSI MMD在設定為工業(yè)標準溫度125°C的腔室中進行老化測試。然而，由于部件通電時的散熱，在壓力測試期間和操作期間結溫通常會升高五度。這是表1中的值的因素。由于溫度AFT引起的加速因子遵循Arrhenius關系，并且使用等式1參考標準操作溫度計算。

測試的ILSI MMD振蕩器的標稱工作電壓為3.3伏。壓力測試在有源晶振電源電壓為3.6伏特或比標稱電壓高約10％的條件下進行。由電壓AFV引起的加速因子使用公式2計算，參數(shù)如表2所示。

ILSI MMD振蕩器的結果

ILSI MMD對數(shù)千個振蕩器，貼片晶振進行了壓力測試，累計測試時間為3,307,000小時，無故障。使用統(tǒng)計方法，可以使用公式3預測10億小時后具有一定置信度的故障數(shù)，其中n是老化測試的設備小時數(shù)。

對于零失敗的90％置信水平，χ2統(tǒng)計值為4.6。插入等式3導致FIT0率為696.3。現(xiàn)在有必要使用來自等式1和2的加速因子校正加速測試條件。調整后的最終FIT率由等式4給出。

使用表1和表2中的值計算上述加速因子和FIT0值，ILSI MMD振蕩器的最終FIT為：

MTBF是FIT率的倒數(shù)，以數(shù)十億小時表示。對于上面計算的FIT率，MTBF約為11.4億小時或超過130，000年。對于競爭的石英貼片晶振，晶體振蕩器，這大大超過了報告的MTBF，如圖1所示。

結論

ILSI MMD可靠性測試表明FIT率小于0.9，對應于11.4億小時的MTBF。這是石英振蕩器MTBF的30倍，使ILSI晶振 MMD MEMS振蕩器成為市場上最可靠的振蕩器。