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艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

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艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

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瀏覽：- 發布日期：2022-07-30 18:46:17【大中小】

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隨著超過一億的物聯網和可穿戴設備出貨量落后于我們，根本原因現在已經眾所周知。為了節省電力，IC 設計人員降低了驅動 32.768kHz 石英晶體的皮爾斯振蕩器的跨導 (gm)。通過減小 gm，電路的驅動力不可避免地被削弱了。皮爾斯振蕩器最終會在驅動具有較重電容負載的傳統電鍍SMD無源晶體時遇到麻煩。新的低功耗 MCU 可能會在驅動幾個額外的皮法電容時遇到麻煩。額外的負載限制了設計中的余量，尤其是在考慮所有工藝角和整個工作溫度范圍時。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

ABM8-16.800MHZ-10-1-U-T	Abracon晶振	ABM8	MHz Crystal	16.8MHz
ABM3B-32.000MHZ-B2-T	Abracon晶振	ABM3B	MHz Crystal	32MHz
ABM8G-13.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	13MHz
ABM8G-40.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	40MHz
ABM8G-33.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	33MHz
ABS05-32.768KHZ-T	Abracon晶振	ABS05	kHz Crystal (Tuning Fork)	32.768kHz
ABM10-16.000MHZ-D30-T3	Abracon晶振	ABM10	MHz Crystal	16MHz
ABM3-9.8304MHZ-D2Y-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	9.8304MHz
ABM3-11.2896MHZ-D2Y-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	11.2896MHz
ABM3B-16.384MHZ-10-1-U-T	Abracon晶振	ABM3B	MHz Crystal	16.384MHz
ABM3-48.000MHZ-D2Y-F-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	48MHz
ABM3B-48.000MHZ-10-1-U-T	Abracon晶振	ABM3B	MHz Crystal	48MHz
ABM3B-12.288MHZ-10-1-U-T	Abracon晶振	ABM3B	MHz Crystal	12.288MHz
ABM3-20.000MHZ-D2Y-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	20MHz
ABM3-32.000MHZ-D2Y-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	32MHz
ABM3-50.000MHZ-D2Y-F-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	50MHz
ABM10-24.000MHZ-8-7-A15-T	Abracon晶振	ABM10	MHz Crystal	24MHz
ABM3-22.1184MHZ-D2Y-T	Abracon晶振	ABM3	MHz Crystal	22.1184MHz
ABLS2-40.000MHZ-D4YF-T	Abracon晶振	ABLS2	MHz Crystal	40MHz
ABLS-LR-13.000MHZ-T	Abracon晶振	ABLS-LR	MHz Crystal	13MHz
ABLS-LR-6.144MHZ-T	Abracon晶振	ABLS-LR	MHz Crystal	6.144MHz
ABLS-LR-16.9344MHZ-T	Abracon晶振	ABLS-LR	MHz Crystal	16.9344MHz
ABM10-22.1184MHZ-E20-T	Abracon晶振	ABM10	MHz Crystal	22.1184MHz
ABLS-LR-25.000MHZ-F-T	Abracon晶振	ABLS-LR	MHz Crystal	25MHz
ABLS-LR-11.0592MHZ-T	Abracon晶振	ABLS-LR	MHz Crystal	11.0592MHz
ABM10-16.384MHZ-E20-T	Abracon晶振	ABM10	MHz Crystal	16.384MHz

2012 年，大多數32.768K音叉晶體經過鍍層后的 CL 約為 9pF。傳統上，皮爾斯振蕩器電路的 gm 可以克服這種電鍍負載并維持振蕩，但這一切都改變了。MCU 現在需要鍍層負載遠低于以往設想的晶體。解決方案是采用新的電鍍設計，實現 6pF 的 CL，降低 33%。

等效串聯電阻 (ESR) 和并聯電容 (C0) 的組合也影響了皮爾斯振蕩器感知的負載。ESR 和 C0 必須與 CL 一起同時降低。考慮到 ESR 和 CL 是石英電鍍設計中唯一可優化的參數，執行新的低負載水平需要先進的工程和世界級的制造。嚴格的要求迫使許多供應商避免變更或冒險失敗。由于晶體與 MCU 的 Pierce 振蕩器之間的不匹配，可穿戴設備行業即將面臨危機——很明顯，現有無源晶振并未針對物聯網應用進行優化。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3