晶振技術有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..
晶振技術有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..
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晶振技術高精度晶片的拋光技術：是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
晶振技術有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..
晶振技術小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。
晶振技術小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。
晶振技術有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..
晶振技術高精度晶片的拋光技術：是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
晶振技術高精度晶片的拋光技術：是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
晶振技術高精度晶片的拋光技術：是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
晶振技術高精度晶片的拋光技術：是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
