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ILSI晶振,溫補晶振,I533晶振

頻率:8-40.0MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.


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ILSI晶振,溫補晶振,I533晶振,5032mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
    有源晶振頻率越高一般價格越高。但頻率越高,頻差越大,從綜合角度考慮,一般工程師會選用頻率低但穩定的晶振,自己做倍頻電路。總之石英晶振是根據需要去選擇合適的頻率,并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振(OCXO),因其有很好的頻率穩定性,屬于高端晶振。至于范圍,晶振的頻率做的太高的話,就會失去意義,因為有其他更好的晶振頻率產品代替。產品頻率范圍是:25kHz-1.3G,基本上所有應用中的晶振都可以在產品中找到。

ILSI晶振

單位

晶振參數

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8-40.0MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-50°C to +150°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C

標準溫度

激勵功率

DL

100 µW Max

推薦:1μW ~ 100μW

頻率公差

f_— l

±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.dninq.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF to 32pF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +125°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

低電壓晶振,I533晶振,石英晶體

如果石英晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。

 采用具有較低電阻(RR)的晶振。低電壓晶振,I533晶振,石英晶體

 使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加貼片晶振鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路。低電壓晶振,I533晶振,石英晶體

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決。系統無法運行,因為石英晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

ILSI晶振,溫補晶振,I533晶振

   ILSI晶體科技本于‘善盡企業責任、降低高氣密性封裝貼片晶振對環境沖擊、提升員工健康’的理念,執行各項環境及職業安全衛生管理工作;落實公司環安衛政策要求使環境暨安全衛生管理成效日益顯著,不僅符合國內環保、勞安法令要求,產品同時也能達到國際環保、安全衛生標準.
       2003年通過ISO14001環境管理系統驗證,秉持“污染預防、持續改善”之原則,公司事業廢棄物產出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數據符合政府法規要求.并由原材料管控禁用或限用環境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色溫補晶振產品的要求相符,于2004年通過SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗證.低電壓晶振,I533晶振,石英晶體
       勞工職業安全衛生議題近年成為世界各國及企業關注焦點,如何做到‘降低職業災害發生、確保壓控石英晶體振蕩器工作場所安全、實施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向

ILSI晶振,溫補晶振,I533晶振

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