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ILSI晶振,壓控晶振,I213晶振

頻率：51.84-170MHZ

尺寸：12.6-12.6mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能

訂購熱線：0755-29952551

ILSI晶振,壓控晶振,I213晶振，12.6*12.6mm體積的壓控晶體振蕩器具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應(yīng)回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

壓控晶體振蕩器是通過調(diào)節(jié)（控制腳）電壓，使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器，主要是通過變?nèi)荻O管（Vd）的電容的變化，使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	51.84-170MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.dninq.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF to 32pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

智能手機晶振,方形晶振,I213晶振

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。智能手機晶振,方形晶振,I213晶振

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

4：粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。智能手機晶振,方形晶振,I213晶振

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

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