以當今電子產品的發展形勢來看,未來向高性能,高度集成,小體積方向發展是必然的,如此一來,對石英晶振行業就相當于提出了新的需求,所以現在許多石英晶體廠家都在致力于研發小尺寸,高精度,低衰減,低相噪,高穩定的晶振生產技術;就在近日村田晶振公司就推出了一款用于Wi-Fi設備小型2016尺寸晶體諧振器.
隨著"LTE"的普及,"毫微微小區"的重要性會增加."毫微微小區"是指在非常狹小的區域使用的基站.為了保持高速數據通信,基站區域內的利用用戶數量不得超過一定數量.在市中心等單位面積的便攜式終端利用用戶數密度高的地區,通過更加細致地分割通信區域,可以實現舒適的數據通信環境.并且,通信區域的細分化對消除因電波故障導致的無法連接區域也有效.具有比傳統微小區基站更精細的通信區域分配的"毫微微小區"基站被認為是有前景的.一般關于網絡基站中采用的都是比較高性能高要求的晶振,如差分晶振.
日本是世界上屈指可數的能夠接受便宜且高度醫療產品晶振的醫療先進國家.但是近年來,醫療的環境隨著少兒老齡化的發展和醫療技術的高度化等發生了很大變化.在這樣的情況下,希望提高醫療服務質量的同時,增加醫療服務質量的使用者的聲音很強烈,另一方面,醫療從業者方面對嚴峻的工作環境要求改善.要求改革確保國民對醫療的安心,使將來能夠享受高質量的醫療服務的醫療制度.
OCXO晶振提供了時序性能的巔峰.很少有時間供應商能夠達到OCXO級穩定性,即大約±50ppb(十億分之一)或更高.由于OCXO提供Stratum3E*級時序穩定性,因此它們用于高吞吐量通信網絡,每個新一代都需要更嚴格的時序性能.展望未來,OCXO對于支持自動駕駛汽車等關鍵任務服務的新興5G和IEEE1588同步應用至關重要.高精度振蕩器被設計成保持在溫度變化頻率,其主要理由穩定性中的一個降低,通過用溫度補償電路和加熱元件沿著包圍諧振器.但即使這些"烤箱"設備設計為保持內部溫度恒定,傳統的OCXO仍然容易受到環境溫度變化的影響,特別是當溫度變化很快時.
很快,汽車將擁有自己的超級計算機.并且這些時鐘提供了這些系統的心跳,汽車將需要超過70個計時設備.雖然今天的汽車依賴于GPS和備用攝像頭等SITIME晶振的計時設備,但自動駕駛汽車需要更精確的計時.他們必須把時間保持在十億分之一秒！基于微機電系統的時序解決方案提供任意頻率,更寬的溫度范圍,更高的頻率穩定性,更好的封裝選項的晶振元件,可編程電磁干擾降低特性,高質量和可靠性以及較短的提前期.最重要的是,SiTime的微機電系統振蕩器能夠承受惡劣汽車環境中出現的振動,電噪聲,快速氣流和溫度瞬變,同時性能穩定且符合規格.
Silicon Labs新的Si54x超系列XO系列為設計人員提供了更高的性能,可靠性和高要求時序應用的安心感并推出了一系列新的高性能石英晶體振蕩器(XOs),提供業界最低抖動頻率的靈活解決方案.Si54xUltra系列XOs可在整個工作范圍內為整數和小數頻率提供低至80飛秒的超低抖動性能.這些XO為要求苛刻的應用(包括100G/200G/400G線路卡和光學模塊,超大規模數據中心,寬帶,無線基礎設施,廣播視頻,工業,測試和測量以及軍事/航空航天)
晶振里面的RF參數是Radio Frequency的縮寫,表示可以輻射到空間的電磁頻率,頻率范圍從300kHz～300GHz之間.射頻就是射頻電流,簡稱RF,它是一種高頻交流變化電磁波的簡稱.每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流,大于10000次的稱為高頻電流,而射頻就是這樣一種高頻電流.射頻(300K-300G)是高頻(大于10K)的較高頻段,微波頻段(300M-300G)又是射頻的較高頻段.
在穩定性,可靠性,穩健性以及低相位噪聲和抖動方面具有優勢,微機電系統MEMS晶振正在進軍汽車和電信等應用領域,這些應用需要提高定時性能和高性能可承受極端環境條件的可靠性部件.其中一個例子是MicrochipTechnologyInc.的DSA系列,該系列于今年早些時候首次亮相,是業界首款汽車級多輸出MEMS振蕩器."技術進步和現代車輛中復雜電子系統的日益普及需要卓越的時序性能和可靠性,"Microchip表示."對于確保在當今高度先進的汽車系統中精確操作,時序精度,精度和對惡劣環境的耐受性至關重要."
在高性能市場中,頻率控制制造商也在改進其恒溫晶體振蕩器(OCXO),壓控晶體振蕩器(VCXO)和溫度補償晶體振蕩器(TCXO)的產品陣容.極端的環境條件.為了滿足這些要求,SiliconLabs的產品組合現在包括提供頻率靈活性和低抖動的Si539x時鐘以及Si56XUltra系列石英晶體振蕩器(XO)和VCXO.EcliptekLLC還提供卓越的RMS相位抖動和相位噪聲性能,提供多電壓石英晶體振蕩器,占地面積小,尺寸為2.5×3.2mm(帶有四個焊盤).該器件的穩定性低至±20ppm,工作溫度范圍為-40°C至85°C.
恒溫晶體振蕩器(OCXO)市場報告根據烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)行業中的領先部分(如類型,地區,應用,技術和精英參與者),包含重要的銷售和收入統計數據.該報告針對歷史(2014-2019年)事件,關于行業現狀的討論,并提供截至2024年的有價值的預測信息.全面分析當代趨勢,需求譜,增長率和關鍵區域烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)的市場探索也體現在本報告中.領先的主要晶振有-NDK晶振,Epson晶振,Vectron晶振,Microcrystal晶振,Rakon晶振,BlileyTechnologies晶振,KDS晶振,Taitien晶振,CTS晶振,GreenrayIndustries晶振,NEL晶振,IDT晶振,Abracon晶振,KVG晶振.
ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動晶振ECS-1633-192-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國進口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國進口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振
ECX-P33BN-200.000美國伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動晶振ECS-3525-600-B-TR進口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國進口晶振ECS-2018-300-BN低抖動晶振ECS-2033-240-AU美國伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國進口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國進口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質晶振ECS-2033-320-AU低抖動晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國進口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國進口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振
