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許多晶體振蕩器在晶體的并聯(lián)諧振點(diǎn)和施加的負(fù)載電容下工作.負(fù)載電容定義為晶體封裝外部的有效電容,施加在晶體的端子之間,如圖1所示.石英晶振制造商指定給定的負(fù)載電容以及操作頻率.負(fù)載電容與制造商指定的負(fù)載電容不同的操作會導(dǎo)致相對于制造商指定頻率的振蕩頻率誤差.頻率誤差是由于晶體的電容"拉"引起的.這可以通過將并聯(lián)和負(fù)載電容并聯(lián)組合,然后將該總和并聯(lián)負(fù)載電容與運(yùn)動電容串聯(lián)組合來形成整體有效電容來證明.

在電子行業(yè)中所有電子元件或者器件都有分合格，或者是不合格，就好比晶振，如果晶體外殼有凹點(diǎn)的，或者是外觀不平整的，外觀氧化的，引腳彎曲，或者是外殼密封性能不好的，頻率偏差要求的，晶振負(fù)載電容點(diǎn)阻不合要求的等等，這些石英晶振系列都是被列為不合格范圍。其實(shí)從石英晶片開始就有分合格和到不合格品.

晶振是為電路提供頻率基準(zhǔn)的元器件，通常分成有源晶振和無源晶振兩個(gè)大類，無源晶振需要芯片內(nèi)部有振蕩器，并且晶振的信號電壓根據(jù)起振電路而定，允許不同的電壓，但無源晶振通常信號質(zhì)量和精度較差，需要精確匹配外圍電路（電感、電容、電阻等），如需更換晶振時(shí)要同時(shí)更換外圍的電路。有源晶振不需要芯片的內(nèi)部振蕩器，可以提供高精度的頻率基準(zhǔn)，信號質(zhì)量也較無源晶振要好。

負(fù)載電容 ( Load Capacitance, CL )振蕩線路上的”負(fù)載電容(load capacitance)”定義為:從石英晶體共振子的兩個(gè)端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值. 負(fù)載電容在線路上可以與石英晶體共振子以并聯(lián)(parallel)或以串聯(lián)(series)的方示連接. 以并聯(lián)方式連接的振蕩線路中, 負(fù)載電容(CL)的大小會影響公稱頻率的特性.