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當前位置: 首頁 » 貼片晶振 » 2016晶振
加高晶振,貼片晶振,HSO211S 晶振

加高晶振,貼片晶振,HSO211S 晶振

頻率:13.0MHZ~52...
尺寸:2.0X1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
NDK晶振,貼片晶振,NT2016SA晶振

NDK晶振,貼片晶振,NT2016SA晶振

頻率:10.0~52.0M...
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SJ晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SJ晶振

頻率:6.0~40.0MH...
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.
NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SHB晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SHB晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.
NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SH晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SH晶振

頻率:32.768KHz
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.
NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SF晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SF晶振

頻率:1.5~60.0MH...
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.
NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SD晶振

NDK晶振,貼片晶振,NZ2016SD晶振

頻率:1.5~60.0MH...
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.
京瓷晶振,貼片晶振,KT2016K晶振

京瓷晶振,貼片晶振,KT2016K晶振

頻率:10.0~52.0M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

Rakon晶振,RXT2016AT晶振,2016貼片晶振

Rakon晶振,RXT2016AT晶振,2016貼片晶振

頻率:19.2~52MHz
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
本產品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
Rakon晶振,RSX-11晶振,石英晶體諧振器

Rakon晶振,RSX-11晶振,石英晶體諧振器

頻率:19.2~52MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
京瓷晶振,貼片晶振,KC2016B晶振

京瓷晶振,貼片晶振,KC2016B晶振

頻率:1.5~50.0MH...
尺寸:2.0*1.6mm pdf 晶振技術
參數資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型,低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.


泰藝晶振,貼片晶振,TZ晶振

泰藝晶振,貼片晶振,TZ晶振

頻率:10.0~52.0M...
尺寸:2.0*1.6 mm pdf 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.


泰藝晶振,貼片晶振,OZ晶振

泰藝晶振,貼片晶振,OZ晶振

頻率:1.5~50.0MH...
尺寸:2.0*1.6 mm pdf 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振體積的變小使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

EPSON晶振,高精度TCXO晶振,TG-5006CJ晶振

EPSON晶振,高精度TCXO晶振,TG-5006CJ晶振

頻率:13~52MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了,高精密點膠技術,晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內,確保TCXO晶體產品精度,穩定性能良好發揮功能。
EPSON晶振,有源晶振,TG2016SBN晶振

EPSON晶振,有源晶振,TG2016SBN晶振

頻率:13~55MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了,高精密點膠技術,晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內,確保TCXO晶體產品精度,穩定性能良好發揮功能。
EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

頻率:1.2~75MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
EPSON晶振,貼片有源晶振,SG2016CAA晶振

EPSON晶振,貼片有源晶振,SG2016CAA晶振

頻率:1.2~75MHZ
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術
參數資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
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