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首頁 KDS晶振

低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA

低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA

產(chǎn)品簡介

低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA,KDS溫補(bǔ)晶振DSB211SDN系列中的1XXD16368MGA晶振,尺寸2.0x1.6mm,為2016貼片晶振,頻率16.368MHZ,該晶振具有低耗能高質(zhì)量的特點(diǎn),支持低電壓操作,低相位噪聲,單封裝結(jié)構(gòu),低功耗晶振。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測量儀表中。該2016晶振具有更高的穩(wěn)定性能,體積小型,厚度薄等特點(diǎn),在惡劣環(huán)境中也能發(fā)揮正常工作,以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量在業(yè)界中小有名氣。

產(chǎn)品詳情

Abracon-2

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低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA

日本進(jìn)口晶振DSB 211SDN系列中的1XXD16368MGA晶振,尺寸2.0x1.6mm,為2016貼片晶振,頻率16.368MHZ,該晶振具有低耗能高質(zhì)量的特點(diǎn),支持低電壓操作,低相位噪聲,單封裝結(jié)構(gòu),低功耗晶振。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測量儀表中。該2016晶振具有更高的穩(wěn)定性能,體積小型,厚度薄等特點(diǎn),在惡劣環(huán)境中也能發(fā)揮正常工作,以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量在業(yè)界中小有名氣。

株式會社-大真空(簡稱KDS晶振)是全球領(lǐng)先的晶振制造商之一,成立于1959年,已有51年歷史。ISO9001、ISO14001、ISO/16949等國際體系認(rèn)證是KDS品質(zhì)和信譽(yù)的保證。KDS主要生產(chǎn)溫補(bǔ)晶振(TCXO晶振)、恒溫晶振(OCXO)、壓控晶振(VCXO)、時鐘晶振(SPXO)、晶體諧振器(Crystal Resonators)、晶體濾波器(Crystal Filters)等產(chǎn)品;其產(chǎn)品廣泛用于手機(jī)、對講機(jī)、GPS/北斗定位儀、汽車電子系統(tǒng)、倒車?yán)走_(dá)、小型基站、LTE、RFID、激光測距儀、筆記本、平板電腦、數(shù)字集群通信系統(tǒng)、儀器儀表等領(lǐng)域。

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低功耗晶振,2016有源貼片,DSB211SDN,KDS溫補(bǔ)晶振,1XXD16368MGA

類型 DSB211SDN (TCXO)
頻率范圍 12.288?52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍 +1.68 to +3.5V
電源電壓 (VCC) +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗 +1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26<f≦52MHz)
輸出電平 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
輸出負(fù)載 10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定性
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
啟動時間 最大 2.0ms
包裝單位 3000 個/卷 (Φ180)

DSA1612SDN,DSA211SDN,DSA221SDN,DSA321SDN,DSB1612SDN,DSB211SDN,DSB221SDN,DSB321SDN


LH-3

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DSA211SDN,DSB211SDN.2016

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材SsA料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

LH-6

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